因為氮化硅側(cè)墻蝕刻可以停止在下面的氧化硅層上，親水性處理后接觸角所以不會對硅有影響 這樣的側(cè)墻也叫氮化硅側(cè)墻或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)側(cè)墻。到了0.18μm時代，這個氮化硅側(cè)墻的應(yīng)力太大，會造成飽和電流降低，漏電增加。為了降低應(yīng)力，需要提高沉積溫度到700℃，量產(chǎn)的熱成本將會提高，同樣會增加漏電。因此在0.18μm時代選用ONO側(cè)墻。
由于低氣壓等離子體為冷等離子體，親水性處理后接觸角當氣壓為 133～13.3帕左右時，電子溫度高達 00開，而氣體溫度只有300開，既不致燒壞基體，又有足夠能量進行表面處理。 低氣壓等離子體發(fā)生器已日益廣泛應(yīng)用于等離子體聚合、制備薄膜、刻蝕、清洗等表面處理工藝中。等離子體發(fā)生器成功的例子如：在半導(dǎo)體制作工藝中，采用氟里昂等離子體干腐蝕，用離子鍍法在金屬表面生成氮化鈦膜等。
等離子輔助清洗技能是一種先進的制造行業(yè)中的精密清洗技能，親水性處理后接觸角在很多工業(yè)領(lǐng)域都可以使用到這種清洗技能，下面為大家介紹等離子清洗機在半導(dǎo)體制造中的使用清洗技能?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)和蝕刻技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體加工。CVD可用于積累多晶硅、氮化硅、二氧化硅和金屬薄膜(如鎢)。此外，電路中用于連接效果的微級管和細導(dǎo)線也采用CVD工藝在絕緣層上制作。在CVD過程中，部分殘留物會在反應(yīng)室壁上積累。
圖3是LED廠商氧化后的LED批次等離子清洗前后對比圖，親水性處理后接觸角圖4是LED廠商等離子清洗前后LED批次的鍵合線拉力對比圖。等離子清洗后芯片和基板清洗效果的另一個指標是表面穿透特性。在部分產(chǎn)品的實驗測試中，未經(jīng)等離子...
