該方法工藝簡單，六方氮化硼表面改性的方法對原材料適應性強，但能耗高，限制了其大規(guī)模推廣。20世紀60年代，美國Ion Arc公司采用直流電弧等離子體一步熱解氧化鋯砂制備氧化鋯。20世紀70年代末，國內(nèi)以硼砂和尿素為原料，在直流電弧等離子體中制備了高純六方氮化硼粉。此外，還可以通過等離子體技術生產(chǎn)二氧化鈦。。等離子體加工技術在電子工業(yè)中的應用主要有:電子元器件加工前處理、PCB清洗、靜電去除、LED支架、晶圓、IC的清洗或粘接等。
1.1碳纖維的結構碳纖維具有石墨的基本結構，六方氮化硼表面改性的方法但不是理想的石墨晶格結構，而是所謂的無序石墨結構（見圖1-1）。多晶結構的單位是六方碳原子的層晶格，層晶格構成層平面。層平面內(nèi)的碳原子以強共價鍵連接，鍵長為0.1421nm；層平面之間由弱范德華力連接，層間距在0.3360～0.3440nm之間；層與層之間沒有規(guī)則的碳原子固定位置，所以層的邊緣是不均勻的。
碳原子在層與層之間沒有規(guī)則的位置，硼表面改性所以層的邊緣是不均勻的。與石墨結構相比，碳纖維的C原子層具有不規(guī)則的平移和旋轉(zhuǎn)，但由六方網(wǎng)狀共價鍵鍵合的C原子層基本平行于纖維軸線排列，導致碳纖維的軸向拉伸模量較高。在混沌石墨結構中，石墨片層是最基本的結構單元，片層之間相互交叉。
使用等離子沉積的硅化合物 SiH4 + N2O（或 Si (OC2H4) + O2）創(chuàng)建 SiOxHy。氣壓為1-5 Torr（1Torr≈133Pa），氮化硼表面改性輸出為13.5MHz。 SiH4+SiH3+N2用于氮化硅沉積，溫度300℃，沉積速率180埃/分鐘。無定形碳化硅膜由硅烷和含碳...
