置于腔室中的基板表面一般具有羥基或氫端反應(yīng)活性位點(diǎn)，端子等離子表面處理機(jī)基板表面銅前驅(qū)體的飽和化學(xué)吸附量如下?；顒?dòng)站點(diǎn)的內(nèi)容和密度密切相關(guān)。隨著沉積循環(huán)次數(shù)的增加，基板表面的粗糙度緩慢增加，在實(shí)驗(yàn)開始時(shí)基板表面出現(xiàn)沉積，表明在初始生長(zhǎng)階段沒有生長(zhǎng)延遲，但在 10 內(nèi)沉積是連續(xù)的循環(huán)，沒有得到銅膜。

7、載荷應(yīng)力：作用在實(shí)際接頭上的應(yīng)力比較復(fù)雜，端子等離子表面處理機(jī)如剪應(yīng)力、剝離應(yīng)力、交變應(yīng)力等。 (1)剪應(yīng)力：由于偏心拉力的影響，接頭端部出現(xiàn)應(yīng)力集中。除剪切力外，還有與界面方向相匹配的拉力和垂直于界面方向的撕裂力。此時(shí)，由于剪切應(yīng)力的作用，接頭的強(qiáng)度隨著被粘物厚度的增加而增加。 (2)剝離應(yīng)力：當(dāng)被粘物為軟質(zhì)材料時(shí)，會(huì)產(chǎn)生剝離應(yīng)力。此時(shí)，拉應(yīng)力和剪應(yīng)力作用在界面上，受力集中在膠粘劑與被粘物的界面上，容易損壞接頭。

隨著微電子器件的小原子層沉積（ALD）技術(shù)的快速發(fā)展，端子等離子表面處理機(jī)該技術(shù)對(duì)于高縱橫比的溝槽和具有復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)的表面具有出色的臺(tái)階覆蓋率。更重要的是，它是基于前體表面的。限制自化學(xué)吸附反應(yīng)，ALD可以通過控制循環(huán)次數(shù)來精確控制薄膜厚度。在ALD工藝中，沉積材料的前體和反應(yīng)的前體交替進(jìn)入反應(yīng)室。在此期間，未反應(yīng)的前體被惰性氣體吹掃，使反應(yīng)氣體交替進(jìn)入自限沉積模式。近年來，許多研究人員使用原子層沉積技術(shù)沉積銅薄膜。

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一個(gè)產(chǎn)品 A 之間的耦合發(fā)生反應(yīng)。

端子等離子表面改性

官能團(tuán)的極性增加。

端子等離子表面改性