等離子體處理提供了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的方法來(lái)清洗和激活被進(jìn)一步加工的零件的表面。等離子設(shè)備表面處理改善了油墨、膠水和涂料在不同表面的潤(rùn)濕性和附著力。若您需要了解表面處理技術(shù)背后的技術(shù)，山西等離子表面清洗機(jī)原理圖建議您到本公司參觀，參與處理過(guò)程，熟悉等離子的工作原理。本公司的等離子處理設(shè)備及產(chǎn)品并可提供表面處理及一項(xiàng)綠色環(huán)保的解決方案，在進(jìn)行下一步處理前預(yù)處理清洗復(fù)雜的表面。該方法特別適用于那些不能用常規(guī)處理機(jī)制處理的復(fù)雜表面的輪廓。

常壓直噴plasma清洗機(jī)是如何區(qū)分獨(dú)立和線上的裝置： 大氣射流 常壓直噴plasma清洗機(jī)的分類，山西等離子表面清洗機(jī)原理圖行業(yè)內(nèi)有三種分辨方法，先前 為大家介紹了按噴頭旋轉(zhuǎn)與否可以分為直噴式和大氣旋轉(zhuǎn)plasma清洗機(jī)，有朋友對(duì)一體式和線上式這分辨方法有疑問(wèn)，今天我們就來(lái)介紹一下。

等離子清洗設(shè)備的保養(yǎng)俗話說(shuō)，山西等離子表面清洗機(jī)原理圖工欲善其事，必先利其器，一個(gè)好的工具往往能讓工作事半功倍。又說(shuō)：功夫再高也怕菜刀，機(jī)器再好也要保養(yǎng)。

如前文所述，山西等離子表面清洗機(jī)原理圖HBr/O2對(duì)N型摻雜多晶硅的蝕刻率比未慘雜多晶硅高20%，極易產(chǎn)生縮脖效應(yīng)，因此 HBr/O2的過(guò)蝕刻量要嚴(yán)格控制，一般以30%為宜，過(guò)少的過(guò)蝕刻量會(huì)導(dǎo)致多晶硅柵側(cè)壁底部長(zhǎng)腳(Footing)，過(guò)多的過(guò)蝕刻量會(huì)導(dǎo)致上部縮脖效應(yīng)加劇。 等離子表面處理機(jī)過(guò)蝕刻步驟盡管采用具有針對(duì)柵氧化硅較高蝕刻選擇比的HBr/O2蝕刻工藝，仍然容易導(dǎo)致硅穿孔(Pitting)及硅損傷。

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因?yàn)闅鍤獾姆肿颖容^大,電離后發(fā)生的粒子比較后,在進(jìn)行外表清洗和活化時(shí)一般會(huì)配合活性氣體混合使用,Z常見(jiàn)的就是氬氣和氧氣的混合。氧氣為高活性氣體,可有用地對(duì)有機(jī)污染物或有機(jī)基材外表進(jìn)行化學(xué)分化,但其粒子相對(duì)較小,斷鍵和轟擊才能有限,如加上必定比例的氬氣,那么所發(fā)生的等離子體對(duì)有機(jī)污染物或有機(jī)基材外表的斷鍵和分化才能就會(huì)更強(qiáng),加快清洗和活化的效率。

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