等離子去膠機(jī)在晶圓制造工藝中扮演著重要的角色。晶圓去膠是一個(gè)重要的步驟，它用于去除晶圓表面的膠層，以便進(jìn)行后續(xù)的加工和制造步驟。 

光刻膠（PR, Photo Resist）是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料，在晶圓制程中，光刻工藝約占整個(gè)晶圓制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)晶圓工藝的40-50%。在光刻環(huán)節(jié)里有個(gè)不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠去膠工藝在離子植入或刻蝕之后，晶圓表面剩余光刻膠和殘余物需要通過(guò)去膠工藝進(jìn)行完全清除。為了清除光刻膠、顆粒、污染物、殘余物和其他無(wú)用材料，必須在制造過(guò)程中對(duì)硅片清洗，提高芯片成品率。 

半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對(duì)于濕法去膠，等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠徹底且速度快，不需引入化學(xué)物質(zhì)，減少了對(duì)晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中最好，有效且高效的半導(dǎo)體光刻膠去除工具，具有高效、均勻、無(wú)損傷等特點(diǎn)。

 

等離子干式去膠工藝優(yōu)勢(shì)： 
徹底去膠且速度快：等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠徹底且速度快。 
無(wú)需引入化學(xué)物質(zhì)：這種方法不需要引入化學(xué)物質(zhì)，從而減少了對(duì)晶圓材料的腐蝕和損傷。 
成品率高、工序簡(jiǎn)單、時(shí)間短：等離子體去膠法是一種干式法，具有成品率高、工序簡(jiǎn)單、時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)。 
操作較安全、重復(fù)性好：這種方法的操作較安全，重復(fù)性好。 
無(wú)需進(jìn)行廢液處理：等離子體去膠法無(wú)需進(jìn)行廢液處理。 
環(huán)保干凈，清洗過(guò)程可控性非常強(qiáng)：等離子干刻機(jī)的去膠只需氣體的參與，無(wú)需化學(xué)試劑的浸泡，無(wú)需烘干，整個(gè)處理環(huán)保干凈，清洗過(guò)程可控性非常強(qiáng)。 

降低成本，提高產(chǎn)品的良品率以及生產(chǎn)效率：這種工藝還能夠降低成本，提高產(chǎn)品的良品率以及生產(chǎn)效率。 

等離子干式去膠工藝適用多種場(chǎng)景： 
半導(dǎo)體晶圓：半導(dǎo)體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業(yè)的重要清洗步驟。 
硅基材料：硅基材料的晶圓表面去膠清洗。 
砷化鎵、氮化鎵等：等離子去膠的工作原理是在真空狀態(tài)下，使得氣體產(chǎn)生活性等離子體，以此，在物理、化學(xué)雙重作用下對(duì)清洗的部件如砷化鎵、氮化鎵等進(jìn)行表面的轟擊。 
光刻膠：用于光刻膠去除。 
碳化硅：用于碳化硅刻蝕。 
硬掩膜層：用于硬掩膜層干法清除。 

氧化硅或氮化硅：用于氧化硅或氮化硅刻蝕。 

等離子去膠機(jī)采用高密度、低損傷等離子源設(shè)計(jì)，獨(dú)立腔室結(jié)構(gòu)，用實(shí)現(xiàn)均勻的流場(chǎng)分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異，達(dá)到高水平的去膠速率。它在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中起著重要的作用，幫助提高生產(chǎn)效率并保持晶圓的質(zhì)量。